特点
功率二极管的低功率替代方案
可控制 N 沟道 MOSFET
0V 至 18V 电源“或”操作或保持
1μs 的栅极接通和关断时间
使能输入
MOSFET 导通状态输出
16 引脚 MSOP 封装和 DFN (4mm x 3mm) 封装
典型应用
典型应用
描述
LTC ? 4353 可控制外部 N 沟道 MOSFET 以实现理想二极管功能。该器件可替代两个高功率肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和占板面积。理想二极管功能可实现低损耗电源“或”及电源保持应用。
LTC4353 可调节 MOSFET 两端的正向电压降，以确保二极管“或”应用中的平滑电流转换。快速接通减小了电源切换期间的负载电压降。如果输入电源发生故障或短路，则快速关断可最大限度地抑制反向电流瞬变。
该控制器可在 2.9V 至 18V 的电源范围内运作。倘若两个电源均低于 2.9V，则需要在 V CC 引脚上连接一个外部电源。使能输入可用于关断 MOSFET 以及把控制器置于一种低电流状态。状态输出负责指示 MOSFET 是处于导通还是关断状态。