MLN浪涌阵列抑制器设计用于保护组件免受电路板瞬态电压的损坏。 为减少产品数量、缩短布局时间以及节省印刷电路板空间，该装置在单个“1206”无引线芯片中安装了四个独立抑制器。
此类浪涌阵列装置可抑制静电放电、电快速瞬变及其他瞬变，以保护在不超过18伏直流电压下工作的集成电路或其他敏感元件。 浪涌阵列装置的额定值符合IEC 6100-4-2人体模式静电放电标准，有助于产品达到电磁兼容性标准。 该阵列具有优越的绝缘性能，截面间的串音干扰极小。
浪涌阵列抑制器的固有电容使其具备了过滤器/抑制器功能，因而可代替独立齐纳/电容器组合。
MLN阵列采用Littelfuse多层技术工艺制造，与Littelfuse ML和MLE系列分散式无引线芯片类似。
MLN还可提供双线路型号。 请联系Littelfuse，了解详细信息。