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XM0860SN

厂商:
Murata
类别:
射频GaAs元件
包装:
-
封装:
-
无铅情况/ROHS:
无铅
描述:
射频GaAs元件 (MMIC)

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  • 参数
  • 描述
  • 文档
参数 数值
P0.5dB (典型值) 28dBm
插入损耗 0.42dB
新品名 XM0860SN
用途 SPDT for WiFi etc.

特点
电源“或”二极管的非常低损耗型替代方案
极少的外部元件
DC 电源之间的自动切换
简化了采用多个电池时的负载均分
低静态电流:11μA
3V 至 28V AC/DC 适配器电压范围
2.5V 至 28V 电池电压范围
电池反向保护
可驱动几乎任何大小的 MOSFET,以满足宽电流范围要求
MOSFET 栅极保护箝位
手动控制输入
扁平 (高度仅 1mm) ThinSOTTM 封装

典型应用

典型应用

描述
LTC ? 4412 控制一个外部 P 沟道 MOSFET,以造就一种用于电源切换或负载均分的近理想型二极管功能。这实现了多个电源的高效“或”操作,旨在延长电池的使用寿命和减少自发热。当导通时,MOSFET 两端的压降通常为 20mV。对于那些采用了一个墙上适配器或其他辅助电源的应用,当辅助电源接入时,负载将自动地与电池断接。可通过两个或更多 LTC4412 的互连来实现多个电池之间的负载均分或从单个充电器来对多个电池进行充电。 LTC4412 的宽电源工作范围支持采用 1 至 6 节串联锂离子电池来提供工作电源。低静态电流 (典型值为 11μA) 与负载电流无关。栅极驱动器包括一个用于 MOSFET 保护的内部电压箝位。 当检测到一个辅助电源时,可采用 STAT 引脚来使能一个辅助 P 沟道 MOSFET 电源开关。该引脚还可被用于在接入了一个辅助电源时向微控制器发出指示信号。控制 (CTL) 输入使得用户能够强制关断主 MOSFET,并将 STAT 引脚置于低电平。 LTC4412 采用扁平 (高度仅 1mm) ThinSOT 封装。

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产品目录
文档名称 文档类型 软件 描述
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详细说明
文档名称 文档类型 软件 描述
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