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P4KE15C

厂商:
Littelfuse
类别:
TVS二极管
包装:
Reel
封装:
-
无铅情况/ROHS:
无铅
描述:
400W轴向引线型瞬态电压抑制器

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  • 参数
  • 描述
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参数 数值
极性 Bidirectional
通道 1 Channel
工作电压 12.8 V
钳位电压 21.2 V
击穿电压 14.3 V
端接类型 Through Hole
峰值浪涌电流 19.3 A
峰值脉冲功率耗散 400 W
最大工作温度 + 175 C
最小工作温度 - 55 C
Reverse Standoff Voltage (VR) (Vso) 反向断态电压(VR)(Vso) 12.8
Breakdown Voltage (VBR@IT) (V) 击穿电压(VBR@IT)(V) 16.555
Ir @Vso(μA) Ir @Vso(μA) 5
On-State Current (IT) (mA) 通态电流(IT)(mA) 1
Breakdown Voltage (MIN VBR@IT ) (V) 击穿电压(最小值VBR@IT)(V) 13.545
Peak Pulse Current (Ipp) 10x1000 (A) 峰值脉冲电流(Ipp)10x1000(A) 19.3
Max Temperature (deg C) 最高温度(摄氏度) 175
系列 P4KE
Watts (W) 瓦特(W) 400
Max Clamp Voltage (Vc) (V) 最大箝位电压(Vc)(V) 22.26

MC9S12D微控制器单元 (MCU) 是由标准片内外围设备组成的16位器件。这些外围设备包括:16位中央处理器 (HCS12 CPU)、2个异步串行通信接口、1个8通道IC/OC增强型捕捉定时器、2个8通道10位模数转换器 (ADC)、1个8通道脉宽调制器 (PWM)、20个离散数字I/O行和1个内置IC总线。系统资源映射、时钟脉冲振荡、中断控制和总线接口由系统集成模块 (SIM) 管理。MC9S12D具有完整的16位数据通道吞吐量。然而,外部总线可以8位窄模式运行,因此连接单独的8位内存可以降低系统成本。内含的锁相环 (PLL) 电路可以降低功率,提高性能,将其调整到适合运行要求的水平。

特性

  • 可以向上与M68HC11的指令集兼容
  • 中断堆栈和程序员模型与M68HC11相同
  • 指令通道
  • 增强型变址寻址内存:
  • 可配置 512 Kb 的闪存 EEPROM
  • 可配置 4 Kb 的 EEPROM
  • 可配置 12 Kb 的 RAM

规格书
文档名称 文档类型 软件 描述
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产品目录
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PSPICE模型
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产品培训
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数据手册
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