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AQS221FN2S

厂商:
Panasonic
类别:
PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)
包装:
Tube packing
封装:
SOP16
无铅情况/ROHS:
无铅
描述:
RF SOP4a C×R10 电压驱动

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  • 参数
参数 数值
保存温度 -40℃~+100℃
端子形状 Surface-Mount
封装 SOP16
输入/输出间端子容量(平均) 0.8pF
包装方式 Tube packing
导通电阻(最大) 12.5 ohm
推荐动作条件(输入LED电流) 5V(Input voltage)
动作电压(最大) 4V
连续负载电流 0.06A
动作时间(平均) 0.02ms
触点结构 4a
动作电压(平均) 1.4V
复位电压(平均) 1.4V
复位时间(平均) 0.02ms
导通电阻(平均) 9.5 ohm
特点 -
输入逆电压(中文用) 5V
全部允许损耗 650mW
负载电压 40 V
输入电压(中文用) 6V
输入/输出绝缘电阻(最小) 1000 M ohm
输出端子间容量(平均) 1 pF
耐电压 500V AC
国外标准 -
使用环境温度 -40℃~+85℃
复位电压(最小) 0.8V
输入电流(平均)(中文用) 8.5mA
输入/输出间端子容量(最大) 1.5pF
开路状态漏电流(最大) 10nA
订货产品号 AQS221FN2S
部允许损耗 260mW
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