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AQV104

厂商:
Panasonic
类别:
PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)
包装:
Tube packing
封装:
DIP6
无铅情况/ROHS:
无铅
描述:
HF 1a(6pin)

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  • 参数
参数 数值
特点 实现了低通导电阻的高功能Photo MOS
封装 DIP6
动作时间(平均) 0.09ms
全部允许损耗 410mW
动作LED电流(平均) 2.3mA
动作LED电流(最大) 5mA
导通电阻(平均) 6.3 ohm
部允许损耗 150mW
耐电压 1500V AC
包装方式 Tube packing
国外标准 UL, C-UL
导通电阻(最大) 8 ohm
复位时间(平均) 0.08ms
开路状态漏电流(最大) 1μA
输出端子间容量(平均) 300 pF
端子形状 Through Hole
输入/输出间端子容量(平均) 1.3pF
LED压降(最大) 3V
触点结构 1a
使用环境温度 -40℃~+85℃
输入/输出绝缘电阻(最小) 1000 M ohm
订货产品号 AQV104
保存温度 -40℃~+100℃
最大正向电流 1A
负载电压 400 V
复位LED电流(最小) 0.8mA
最大允许LED电流 50mA
LED反向电压 10V
输入/输出间端子容量(最大) 3pF
推荐动作条件(输入LED电流) 10mA
复位LED电流(平均) 2.2mA
连续负载电流 0.18A
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