【PanasonicPhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)】AQV112KL【行情价格评价图片正品行货】

AQV112KL

参数	数值
耐电压	1500V AC
端子形状	Through Hole
封装	DIP6
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
动作时间(平均)	2ms
包装方式	Tube packing
国外标准	UL, C-UL, VDE
全部允许损耗	550mW
负载电压	60 V
触点结构	1a
导通电阻(最大)	2 ohm
复位时间(平均)	0.1ms
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
推荐动作条件(输入LED电流)	10mA
导通电阻(平均)	0.55 ohm
开路状态漏电流(最大)	1μA
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
输出端子间容量(平均)	300 pF
连续负载电流	0.5A
部允许损耗	75mW
最大正向电流	1A
动作LED电流(平均)	0.8mA
LED压降(最大)	1.5V
复位LED电流(最小)	0.3mA
最大允许LED电流	50mA
LED反向电压	5V
动作LED电流(最大)	10mA
复位LED电流(平均)	0.7mA
LED压降(平均)	1.17V
保存温度	-40℃～+100℃
使用环境温度	-40℃～+85℃
过电流保护功能	With short circuit protecting（non-latching）
特点	附带自复位型短路保护功能的6脚DIP的Photo MOS
订货产品号	AQV112KL

请选择文档类型：