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AQV214EAZ

厂商:
Panasonic
类别:
PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)
包装:
tape and reel packing(Z)
封装:
DIP6
无铅情况/ROHS:
无铅
描述:
GE 1a(6pin)

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  • 参数
参数 数值
耐电压 1500V AC
动作时间(平均) 0.5ms
动作LED电流(平均) 1.1mA
使用环境温度 -40℃~+85℃
LED压降(平均) 1.25V
输入/输出间端子容量(最大) 1.5pF
复位LED电流(平均) 1.0mA
开路状态漏电流(最大) 1μA
输出端子间容量(平均) 45 pF
端子形状 Surface-Mount
特点 实现了经济价格的低成本Photo MOS
封装 DIP6
全部允许损耗 550mW
LED压降(最大) 1.5V
复位LED电流(最小) 0.3mA
最大允许LED电流 50mA
复位时间(平均) 0.05ms
推荐动作条件(输入LED电流) 5mA
输入/输出绝缘电阻(最小) 1000 M ohm
最大正向电流 1A
负载电压 400 V
导通电阻(最大) 50 ohm
连续负载电流 0.12A
部允许损耗 75mW
保存温度 -40℃~+100℃
输入/输出间端子容量(平均) 0.8pF
包装方式 tape and reel packing(Z)
国外标准 UL, C-UL
触点结构 1a
LED反向电压 5V
动作LED电流(最大) 3mA
导通电阻(平均) 30 ohm
订货产品号 AQV214EAZ
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