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AQV214EHAZ

厂商:
Panasonic
类别:
PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)
包装:
tape and reel packing(Z)
封装:
DIP6
无铅情况/ROHS:
无铅
描述:
GE 1a(6pin)

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  • 参数
参数 数值
端子形状 Surface-Mount
特点 实现了经济价格的低成本Photo MOS
最大正向电流 1A
国外标准 UL, C-UL, BSI
负载电压 400 V
LED压降(最大) 1.5V
导通电阻(最大) 50 ohm
最大允许LED电流 50mA
复位LED电流(平均) 1.5mA
输入/输出绝缘电阻(最小) 1000 M ohm
耐电压 5000V AC
输入/输出间端子容量(平均) 0.8pF
包装方式 tape and reel packing(Z)
复位LED电流(最小) 0.4mA
LED反向电压 5V
LED压降(平均) 1.25V
输入/输出间端子容量(最大) 1.5pF
开路状态漏电流(最大) 1μA
订货产品号 AQV214EHAZ
输出端子间容量(平均) 45 pF
保存温度 -40℃~+100℃
动作时间(平均) 0.7ms
触点结构 1a
使用环境温度 -40℃~+85℃
动作LED电流(最大) 3mA
推荐动作条件(输入LED电流) 5-10mA
导通电阻(平均) 30 ohm
封装 DIP6
全部允许损耗 550mW
动作LED电流(平均) 1.6mA
复位时间(平均) 0.05ms
连续负载电流 0.12A
部允许损耗 75mW
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