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AQV224NA

厂商:
Panasonic
类别:
PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)
包装:
Tube packing
封装:
DIP6
无铅情况/ROHS:
无铅
描述:
RF 1a 低导通电阻(6in)

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  • 参数
参数 数值
耐电压 1500V AC
端子形状 Surface-Mount
封装 DIP6
输入/输出间端子容量(平均) 0.8pF
动作时间(平均) 0.2ms
包装方式 Tube packing
国外标准 UL, C-UL
全部允许损耗 410mW
负载电压 400 V
触点结构 1a
导通电阻(最大) 100 ohm
复位时间(平均) 0.08ms
输入/输出间端子容量(最大) 1.5pF
推荐动作条件(输入LED电流) 5mA
导通电阻(平均) 70 ohm
开路状态漏电流(最大) 10nA
输入/输出绝缘电阻(最小) 1000 M ohm
输出端子间容量(平均) 10 pF
连续负载电流 0.05A
部允许损耗 75mW
最大正向电流 1A
动作LED电流(平均) 0.9mA
LED压降(最大) 1.5V
复位LED电流(最小) 0.4mA
最大允许LED电流 50mA
LED反向电压 5V
动作LED电流(最大) 3mA
复位LED电流(平均) 0.85mA
保存温度 -40℃~+100℃
使用环境温度 -40℃~+85℃
特点 实现了高速动作,低漏电流以及低导通电阻的Photo MOS
订货产品号 AQV224NA
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