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AQV225A

厂商:
Panasonic
类别:
PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)
包装:
Tube packing
封装:
DIP6
无铅情况/ROHS:
无铅
描述:
RF 1a(6pin)

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  • 参数
参数 数值
特点 可控制高频信号的Photo MOS最适合进行视频信号,高速脉冲的控制
封装 DIP6
动作时间(平均) 0.1ms
复位LED电流(最小) 0.4mA
输入/输出间端子容量(最大) 1.5pF
部允许损耗 75mW
耐电压 1500V AC
输入/输出间端子容量(平均) 0.8pF
包装方式 Tube packing
全部允许损耗 280mW
负载电压 80 V
LED反向电压 5V
复位LED电流(平均) 0.85mA
开路状态漏电流(最大) 10nA
动作LED电流(平均) 0.9mA
LED压降(最大) 1.5V
触点结构 1a
使用环境温度 -40℃~+85℃
动作LED电流(最大) 3mA
推荐动作条件(输入LED电流) 5mA
导通电阻(平均) 36 ohm
输入/输出绝缘电阻(最小) 1000 M ohm
订货产品号 AQV225A
连续负载电流 0.05A
保存温度 -40℃~+100℃
端子形状 Surface-Mount
最大正向电流 1A
国外标准 UL, C-UL
导通电阻(最大) 50 ohm
最大允许LED电流 50mA
复位时间(平均) 0.03ms
输出端子间容量(平均) 4.8 pF
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