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AQV227NAZ

厂商:
Panasonic
类别:
PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)
包装:
tape and reel packing(Z)
封装:
DIP6
无铅情况/ROHS:
无铅
描述:
RF 1a 低导通电阻(6in)

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  • 参数
参数 数值
LED反向电压 5V
输出端子间容量(平均) 10 pF
连续负载电流 0.07A
部允许损耗 75mW
保存温度 -40℃~+100℃
动作时间(平均) 0.2ms
动作LED电流(平均) 0.9mA
触点结构 1a
使用环境温度 -40℃~+85℃
导通电阻(最大) 50 ohm
动作LED电流(最大) 3mA
导通电阻(平均) 30 ohm
订货产品号 AQV227NAZ
端子形状 Surface-Mount
封装 DIP6
输入/输出间端子容量(平均) 0.8pF
包装方式 tape and reel packing(Z)
国外标准 UL, C-UL
全部允许损耗 410mW
负载电压 200 V
复位LED电流(最小) 0.4mA
最大允许LED电流 50mA
输入/输出间端子容量(最大) 1.5pF
开路状态漏电流(最大) 10nA
耐电压 1500V AC
特点 实现了高速动作,低漏电流以及低导通电阻的Photo MOS
最大正向电流 1A
LED压降(最大) 1.5V
复位时间(平均) 0.08ms
推荐动作条件(输入LED电流) 5mA
复位LED电流(平均) 0.85mA
输入/输出绝缘电阻(最小) 1000 M ohm
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