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AQV251GAZ

厂商:
Panasonic
类别:
PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)
包装:
tape and reel packing(Z)
封装:
DIP6
无铅情况/ROHS:
无铅
描述:
HE 1a 高容量(6pin)

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  • 参数
  • 描述
参数 数值
耐电压 1500V AC
端子形状 Surface-Mount
封装 DIP6
输入/输出间端子容量(平均) -
动作时间(平均) 1.1ms
包装方式 tape and reel packing(Z)
国外标准 UL, C-UL
全部允许损耗 550mW
负载电压 30 V
触点结构 1a
导通电阻(最大) 0.08 ohm
复位时间(平均) 0.08ms
输入/输出间端子容量(最大) 3pF
推荐动作条件(输入LED电流) 5-10mA
导通电阻(平均) 0.035 ohm
开路状态漏电流(最大) 1μA
输入/输出绝缘电阻(最小) 1000 M ohm
输出端子间容量(平均) 330 pF
连续负载电流 3.5A
部允许损耗 75mW
最大正向电流 1A
动作LED电流(平均) 0.55mA
LED压降(最大) 1.5V
复位LED电流(最小) 0.2mA
最大允许LED电流 50mA
LED反向电压 5V
动作LED电流(最大) 3mA
复位LED电流(平均) 0.45mA
保存温度 -40℃~+100℃
使用环境温度 -40℃~+85℃
特点 -
订货产品号 AQV251GAZ


功能与特色

  • 无铅
  • 100安培分断能力
  • 降低对PCB板的空间要求
  • 可直接软焊或插入
  • 获国际认证
  • 低内阻
  • 防电击外壳
  • 抗振
  • 无卤素
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