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AQV252AZ

厂商:
Panasonic
类别:
PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)
包装:
tape and reel packing(Z)
封装:
DIP6
无铅情况/ROHS:
无铅
描述:
HE 1a(6pin)

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  • 参数
参数 数值
保存温度 -40℃~+100℃
端子形状 Surface-Mount
动作时间(平均) 1.4ms
最大正向电流 1A
国外标准 UL, C-UL
负载电压 60 V
最大允许LED电流 50mA
动作LED电流(最大) 3mA
输入/输出间端子容量(最大) 3pF
耐电压 1500V AC
包装方式 tape and reel packing(Z)
导通电阻(最大) 1.4 ohm
LED反向电压 5V
导通电阻(平均) 0.74 ohm
复位LED电流(平均) 0.8mA
开路状态漏电流(最大) 1μA
连续负载电流 0.4A
输入/输出间端子容量(平均) 1.3pF
动作LED电流(平均) 0.9mA
LED压降(最大) 1.5V
触点结构 1a
使用环境温度 -40℃~+85℃
复位时间(平均) 0.07ms
推荐动作条件(输入LED电流) 5mA
输入/输出绝缘电阻(最小) 1000 M ohm
特点 低导通电阻与经济性兼顾,品种丰富的Photo MOS
封装 DIP6
全部允许损耗 410mW
复位LED电流(最小) 0.4mA
订货产品号 AQV252AZ
输出端子间容量(平均) 350 pF
部允许损耗 75mW
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