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AQV252G

厂商:
Panasonic
类别:
PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)
包装:
Tube packing
封装:
DIP6
无铅情况/ROHS:
无铅
描述:
HE 1a 高容量(6pin)

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  • 参数
参数 数值
端子形状 Through Hole
封装 DIP6
动作时间(平均) 1.1ms
使用环境温度 -40℃~+85℃
导通电阻(最大) 0.12 ohm
复位LED电流(最小) 0.2mA
输入/输出间端子容量(最大) 1.5pF
推荐动作条件(输入LED电流) 5-10mA
复位LED电流(平均) 0.45mA
耐电压 1500V AC
最大正向电流 1A
国外标准 UL, C-UL, VDE
负载电压 60 V
动作LED电流(平均) 0.5mA
LED反向电压 5V
导通电阻(平均) 0.08 ohm
开路状态漏电流(最大) 1μA
订货产品号 AQV252G
部允许损耗 75mW
特点 采用了新一代的MOS,大幅度提高了负载电流值
全部允许损耗 550mW
LED压降(最大) 1.5V
输入/输出绝缘电阻(最小) 1000 M ohm
保存温度 -40℃~+100℃
输入/输出间端子容量(平均) 0.8pF
包装方式 Tube packing
触点结构 1a
最大允许LED电流 50mA
动作LED电流(最大) 3mA
复位时间(平均) 0.25ms
输出端子间容量(平均) 240 pF
连续负载电流 2.5A
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