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AQV257AX

厂商:
Panasonic
类别:
PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)
包装:
tape and reel packing(X)
封装:
DIP6
无铅情况/ROHS:
无铅
描述:
HE 1a(6pin)

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  • 参数
参数 数值
封装 DIP6
全部允许损耗 410mW
导通电阻(最大) 4 ohm
复位时间(平均) 0.1ms
部允许损耗 75mW
保存温度 -40℃~+100℃
特点 低导通电阻与经济性兼顾,品种丰富的Photo MOS
输入/输出间端子容量(平均) 1.3pF
动作LED电流(平均) 0.9mA
触点结构 1a
使用环境温度 -40℃~+85℃
动作LED电流(最大) 3mA
推荐动作条件(输入LED电流) 5mA
订货产品号 AQV257AX
耐电压 1500V AC
包装方式 tape and reel packing(X)
国外标准 UL, C-UL
负载电压 200 V
复位LED电流(最小) 0.4mA
LED反向电压 5V
导通电阻(平均) 2.6 ohm
开路状态漏电流(最大) 1μA
输出端子间容量(平均) 170 pF
端子形状 Surface-Mount
动作时间(平均) 1.5ms
最大正向电流 1A
LED压降(最大) 1.5V
最大允许LED电流 50mA
输入/输出间端子容量(最大) 3pF
复位LED电流(平均) 0.8mA
输入/输出绝缘电阻(最小) 1000 M ohm
连续负载电流 0.25A
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