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AQV410EHA

厂商:
Panasonic
类别:
PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)
包装:
Tube packing
封装:
DIP6
无铅情况/ROHS:
无铅
描述:
GE 1b(6pin)

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  • 参数
参数 数值
保存温度 -40℃~+100℃
端子形状 Surface-Mount
输入/输出间端子容量(平均) 0.8pF
最大正向电流 1A
国外标准 UL, C-UL, BSI
负载电压 350 V
触点结构 1b
最大允许LED电流 50mA
动作LED电流(最大) 3mA
复位时间(平均) 0.3ms
订货产品号 AQV410EHA
输出端子间容量(平均) 110 pF
包装方式 Tube packing
导通电阻(最大) 35 ohm
LED反向电压 5V
LED压降(平均) 1.25V
复位LED电流(平均) 1.8mA
连续负载电流 0.13A
部允许损耗 75mW
特点 实现了经济价格的低成本型Photo MOS常闭型
动作时间(平均) 1.5ms
全部允许损耗 550mW
动作LED电流(平均) 1.9mA
LED压降(最大) 1.5V
导通电阻(平均) 18 ohm
开路状态漏电流(最大) 10μA
输入/输出绝缘电阻(最小) 1000 M ohm
耐电压 5000V AC
封装 DIP6
使用环境温度 -40℃~+85℃
复位LED电流(最小) 0.4mA
输入/输出间端子容量(最大) 1.5pF
推荐动作条件(输入LED电流) 5-10mA
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