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AQV454HAZ

厂商:
Panasonic
类别:
PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)
包装:
tape and reel packing(Z)
封装:
DIP6
无铅情况/ROHS:
无铅
描述:
HE 1b(6pin)

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  • 参数
参数 数值
耐电压 5000V AC
端子形状 Surface-Mount
封装 DIP6
输入/输出间端子容量(平均) 1.3pF
动作时间(平均) 1.8ms
包装方式 tape and reel packing(Z)
国外标准 UL, C-UL, BSI
全部允许损耗 410mW
负载电压 400 V
触点结构 1b
导通电阻(最大) 16 ohm
复位时间(平均) 0.4ms
输入/输出间端子容量(最大) 3pF
推荐动作条件(输入LED电流) 5-10mA
导通电阻(平均) 11 ohm
开路状态漏电流(最大) 10μA
输入/输出绝缘电阻(最小) 1000 M ohm
输出端子间容量(平均) 170 pF
连续负载电流 0.15A
部允许损耗 75mW
最大正向电流 1A
动作LED电流(平均) 1.4mA
LED压降(最大) 1.5V
复位LED电流(最小) 0.4mA
最大允许LED电流 50mA
LED反向电压 5V
动作LED电流(最大) 3mA
复位LED电流(平均) 1.3mA
保存温度 -40℃~+100℃
使用环境温度 -40℃~+85℃
特点 低通导电阻与经济性兼顾的导体继电器1b型
订货产品号 AQV454HAZ
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