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产品分类 > 光电器件 > PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器) > AQW227NSZ

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AQW227NSZ

厂商：
Panasonic
类别：
PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)
包装：
tape and reel packing(Z)
封装：
SOP8
无铅情况/ROHS：
无铅
描述：
RF SOP2a 低导通电阻

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  • 参数
  • 描述
参数 数值
耐电压 1500V AC
端子形状 Surface-Mount
封装 SOP8
输入/输出间端子容量(平均) 0.8pF
动作时间(平均) 0.25ms
包装方式 tape and reel packing(Z)
国外标准 UL, C-UL
全部允许损耗 650mW
负载电压 200 V
触点结构 2a
导通电阻(最大) 50 ohm
复位时间(平均) 0.08ms
输入/输出间端子容量(最大) 1.5pF
推荐动作条件(输入LED电流) 5mA
导通电阻(平均) 30 ohm
开路状态漏电流(最大) 10nA
输入/输出绝缘电阻(最小) 1000 M ohm
输出端子间容量(平均) 10 pF
连续负载电流 0.05A
部允许损耗 75mW
最大正向电流 1A
动作LED电流(平均) 0.7mA
LED压降(最大) 1.5V
复位LED电流(最小) 0.4mA
最大允许LED电流 50mA
LED反向电压 5V
动作LED电流(最大) 3mA
复位LED电流(平均) 0.65mA
保存温度 -40℃～+100℃
使用环境温度 -40℃～+85℃
特点 兼备高速动作，低漏电流以及低导通电阻的小型ＰｈｏｔｏＭＯＳ
订货产品号 AQW227NSZ


这是一种固态保护装置，可用于正电压电源或负电压电源应用中。 B1xx0C_ 用于负参考电压（-Vref），B2050C_用于正参考电压（+Vref）。B1xx0C_ Battrax®由一只SCR和一只门二极管组成，在|-Vref| + |-1.2 V|时开始导电；而B2050C_ Battrax®则在|+Vref| + |1.2 V|时开始导电。

注： :

  • 所有测量均在25°C. IPP的环境温度下进行，适用于-40°C至+85°C的环境。
  • IPP为重复性浪涌额定值，在产品的生命周期内都可得到保证。
  • IPP额定值设定为VREF = ±48 V。
  • Vdrm（断态重复峰值电压）值在Idrm（反向重复峰值电压）下测得。
  • Vs值是在100 V/µs下测得。
  • 断态电容为频率1 MHz、偏压2 V下的测量值，该电容是一个标准值。 “CC”产品约为所列数值的2倍。
  • 正Battrax信息是初步数据。
  • 负Battrax的最大VREF值是-200V。
  • 正Battrax的最大VREF值为110V。

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