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AQW414EHA

厂商:
Panasonic
类别:
PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)
包装:
Tube packing
封装:
DIP8
无铅情况/ROHS:
无铅
描述:
GE 2b

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  • 参数
参数 数值
保存温度 -40℃~+100℃
端子形状 Surface-Mount
特点 实现了经济价格的低成本Photo MOS2b型!
输入/输出间端子容量(平均) 0.8pF
包装方式 Tube packing
国外标准 UL, C-UL, BSI
负载电压 400 V
最大允许LED电流 50mA
动作LED电流(最大) 3mA
复位时间(平均) 0.3ms
复位LED电流(平均) 1.2mA
最大正向电流 1A
导通电阻(最大) 35 ohm
LED反向电压 5V
LED压降(平均) 1.25V
导通电阻(平均) 26 ohm
输出端子间容量(平均) 100 pF
连续负载电流 0.1A
部允许损耗 75mW
封装 DIP8
全部允许损耗 850mW
动作LED电流(平均) 1.3mA
LED压降(最大) 1.5V
开路状态漏电流(最大) 10μA
输入/输出绝缘电阻(最小) 1000 M ohm
耐电压 5000V AC
动作时间(平均) 0.8ms
触点结构 2b
使用环境温度 -40℃~+85℃
复位LED电流(最小) 0.4mA
输入/输出间端子容量(最大) 1.5pF
推荐动作条件(输入LED电流) 5-10mA
订货产品号 AQW414EHA
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