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AQW612EH

厂商:
Panasonic
类别:
PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)
包装:
Tube packing
封装:
DIP8
无铅情况/ROHS:
无铅
描述:
GE 1a1b

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  • 参数
参数 数值
耐电压 5000V AC
端子形状 Through Hole
封装 DIP8
输入/输出间端子容量(平均) 0.8pF
动作时间(平均) 1ms(N.O.),3ms(N.C.)
包装方式 Tube packing
国外标准 UL, C-UL, VDE
全部允许损耗 850mW
负载电压 60 V
触点结构 1a1b
导通电阻(最大) 2.5 ohm
复位时间(平均) 0.05ms(N.O.),0.2ms(N.C.)
输入/输出间端子容量(最大) 1.5pF
推荐动作条件(输入LED电流) 5-10mA
导通电阻(平均) 1 ohm
开路状态漏电流(最大) 1μA(N.O.),10μA(N.C.)
输入/输出绝缘电阻(最小) 1000 M ohm
输出端子间容量(平均) 80 pF(N.O.),500 pF(N.C.)
连续负载电流 0.5A
部允许损耗 75mW
最大正向电流 1A
动作LED电流(平均) 1.4mA
LED压降(最大) 1.5V
复位LED电流(最小) 0.4mA
最大允许LED电流 50mA
LED反向电压 5V
动作LED电流(最大) 3mA
复位LED电流(平均) 1.3mA
LED压降(平均) 1.25V
保存温度 -40℃~+100℃
使用环境温度 -40℃~+85℃
特点 实现了经济价格的低成本类Photo MOS1a1b型!
订货产品号 AQW612EH
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