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AQY214EH

厂商:
Panasonic
类别:
PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)
包装:
Tube packing
封装:
DIP4
无铅情况/ROHS:
无铅
描述:
GE 1a(4pin)

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  • 参数
参数 数值
保存温度 -40℃~+100℃
最大正向电流 1A
国外标准 UL, C-UL, BSI
负载电压 400 V
LED压降(最大) 1.5V
最大允许LED电流 50mA
订货产品号 AQY214EH
端子形状 Through Hole
封装 DIP4
全部允许损耗 550mW
触点结构 1a
使用环境温度 -40℃~+85℃
动作LED电流(最大) 3mA
输入/输出绝缘电阻(最小) 1000 M ohm
输入/输出间端子容量(平均) 0.8pF
动作时间(平均) 0.5ms
包装方式 Tube packing
动作LED电流(平均) 1.2mA
导通电阻(最大) 35 ohm
LED反向电压 5V
LED压降(平均) 1.25V
复位时间(平均) 0.08ms
导通电阻(平均) 26 ohm
开路状态漏电流(最大) 1μA
输出端子间容量(平均) 45 pF
耐电压 5000V AC
特点 实现了经济价格的小型4脚DIP低成本Photo MOS
复位LED电流(最小) 0.4mA
输入/输出间端子容量(最大) 1.5pF
推荐动作条件(输入LED电流) 5-10mA
复位LED电流(平均) 1.1mA
连续负载电流 0.12A
部允许损耗 75mW
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