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LTC4413EDD

厂商:
Linear
类别:
功率控制
包装:
-
封装:
DFN
无铅情况/ROHS:
-
描述:
采用 3mm x 3mm DFN 封装的双通道 2.6A、2.5V...

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  • 参数
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参数 数值
Vin Min (V) 2.5
Vin Max (V) 5.5
Comments Dual 2.6A, 2.5V to 5.5V, Ideal Diodes in 3mm × 3mm DFN
Extended Temp E
Packages DFN-10
Featured no
Date Added 1984-01-01
Price 1k * $2.15 (LTC4413EDD)
New no
Channels (#) 2
Typical Current Capability (A) 2.6
Ideal Diode Dual, Internal, P-Channel
Internal FET (yes/no) yes
Supply for FET Gate drive

特点
两通道理想二极管“或”或负载均分
“或”二极管的低损耗型替代方案
低正向接通电阻 (在 3.6V 电压条件下的最大值为 100mΩ)
低反向漏电流 (最大值为 1μA)
小的已调正向电压 (典型值为 28mV)
2.5V 至 5.5V 工作电压范围
2.6A 最大正向电流
内部电流限制和热保护
缓慢开关用于防止器件遭受由电感性源阻抗感生的电压尖峰的损坏
超低静态电流消耗 (LTC4413-1 的低功率替代方案)
用于在选定通道导通时发出指示信号的状态输出
可编程通道接通/关断操作
扁平 (高度仅为 0.75mm) 10 引脚 3mm x 3mm DFN 封装

典型应用

典型应用

描述
LTC ? 4413 包含两个单片式理想二极管,各能够从 2.5V 至 5.5V 的输入电压提供高达 2.6A。每个理想二极管采用一个 100mΩ P 沟道 MOSFET,用于独立地把 INA 连接至 OUTA,以及将 INB 连接至 OUTB。在标准的正向操作期间,这些二极管两端的电压降均被调节为低至 28mV。在二极管电流高达 1A 时,静态电流将小于 40μA。如果任一个输出电压超过其各自的输入电压,则 MOSFET 被关断,且有少于 1μA 的反向电流从 OUT 流至 IN。每个 MOSFET 中的最大正向电流被限制在一个恒定值 2.6A,而内部热限制电路负责在故障条件下对器件实施保护。 两个高态有效控制引脚可独立地关断 LTC4413 内含的两个理想二极管,从而控制操作模式 (如表 1 所述)。当选定通道被反向偏压,或者 LTC4413 被置于低功率待机状态时,一个状态信号将利用一个低电压来指示该条件。 一个 9μA 漏极开路 STAT 引脚用于指示传导状态。当通过一个 470k 电阻器终接至一个正电源时,STAT 引脚可用来指示选定的二极管在高电压处于传导状态。 该信号可用来驱动一个辅助 P 沟道 MOSFET 电源开关,以在 LTC4413 不传导正向电流时控制第三个交流电源。 LTC4413 采用 10 引脚 DFN 封装。
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数据表 (英文)
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产品新闻发布 (中文)
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可靠性数据
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产品新闻发布 (英文)
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设计要点 (英文)
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设计要点 (中文)
文档名称 文档类型 软件 描述
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